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Texas Instruments ULN2003ADR high-voltage,high-current Darlington transistor arrays.
50-V, 7-ch darlington transistor array, -20C to 70C
ULx200xA 器件是高电压大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。
单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。将达林顿对并联可以提供更高的电流。应用 包括继电器驱动器、电锤驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。
ULN2002A 器件专门设计用于 14V 至 25V PMOS 器件。该器件的每个输入端都有一个串联的齐纳二极管和电阻,以将输入电流控制在安全范围内。ULx2003A器件的每个达林顿对都具有一个 2.7k? 的串联基极电阻,可直接与 TTL 或 5V CMOS 器件一起工作。
ULx2004A 器件具有一个 10.5k? 串联基极电阻,允许直接从使用 6V 至 15V 电源电压的 CMOS 器件进行操作。ULx2004A 器件所需的输入电流低于ULx2003A 器件的输入电流,所需电压小于 ULN2002A 器件的所需电压。
晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 500uA,350mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50uA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | - |
功率 - 最大值 | - |
频率 - 跃迁 | - |
工作温度 | -20°C ~ 70°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 16-SOIC |
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